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MMBTH10-4LT1G +BOM

NPN Bipolar Transistor

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

MMBTH10-4LT1G
Scheda dati:

MMBTH10-4LT1G Scheda dati (PDF)
Case Outline:

318-08
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelli:

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tel: +852 95804164

MMBTH10-4LT1G Descrizione generale

The MMBTH10-4LT1G is a NPN bipolar transistor designed for high-frequency applications with a transition frequency of 800MHz. It has a maximum collector-emitter voltage of 25V and a power dissipation of 225mW, making it suitable for low-power amplification and switching. With a continuous collector current of 1mA, this transistor is ideal for use in small signal amplification and general purpose switching circuits. It is available in a full reel packaging and is RoHS compliant, ensuring its environmental friendliness

Caratteristiche principali

Faster Switching Time Enhances System Responsiveness
Silicon-Based Devices Offer Low Power Consumption
Efficient Heat Dissipation Reduces Cooling Needs
Robust Design Ensures Device Durability in Harsh Environments

Specifiche

Status	Active	Case Outline	318-08
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

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Spedizione e imballaggio

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Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..

Garanzia

Prodotto 365 giorni

Qualità garantita

Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.

Valutazioni e recensioni

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B**n 01/11/2024

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M**n 12/19/2022

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