Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

KSC3503DSTU +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 150MHz 7 W Through Hole TO-126-3

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

KSC3503DSTU
Scheda dati:

KSC3503DSTU Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per KSC3503DSTU

KSC3503DSTU Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 150MHz 7 W Through Hole TO-126-3

Caratteristiche principali

High Current Handling
Low Input Noise
Fast Rise Time and Fall Time
Good Linearity and Gain
Compact Package Size

Applicazione

Great for various tasks.
Can handle any job with ease.
Essential for daily use.

Specifiche

Source Content uid	KSC3503DSTU	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	11 Weeks, 4 Days
Application	AMPLIFIER	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	60	JEDEC-95 Code	TO-126
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Polarity/Channel Type	NPN
Surface Mount	NO	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..