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JAN2N3055 +BOM

Metal 2 Pin JAN2N3055 Power Bipolar Transistor

JAN2N3055 Descrizione generale

Engineered for high-power applications, the JAN2N3055 transistor is a dependable component for military and aerospace systems. With its robust construction and ability to operate in extreme conditions, it is commonly used in power supplies, motor controls, and RF amplifiers where reliability and performance are crucial. Its compliance with MIL-PRF-19500/404 specifications further underscores its suitability for demanding environments

Specifiche

Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
Case Connection COLLECTOR Collector Current-Max (IC) 15 A
Collector-Emitter Voltage-Max 70 V Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 20 JEDEC-95 Code TO-3
JESD-30 Code O-MBFM-P2 JESD-609 Code e0
Number of Elements 1 Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 200 °C Polarity/Channel Type NPN
Qualification Status Qualified Reference Standard MIL-19500/407D
Surface Mount NO Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form PIN/PEG Terminal Position BOTTOM
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Series - Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 70 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V Power - Max 6 W
Frequency - Transition - Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Grade Military Qualification MIL-PRF-19500/407
Mounting Type Through Hole Base Product Number 2N3055

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