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IXYK120N120B3 +BOM

IGBT Transistors IGBT XPT-GENX3

Produttore:

IXYS
ProduttorePart #:

IXYK120N120B3
Scheda dati:

IXYK120N120B3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelli:

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IXYK120N120B3 Descrizione generale

IGBT PT 1200 V 320 A 1500 W Through Hole TO-264 (IXYK)

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	320 A
Pd - Power Dissipation	1.5 kW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Continuous Collector Current Ic Max	800 A
Gate-Emitter Leakage Current	200 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	25	Subcategory	IGBTs

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