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IXYH90N65A5 +BOM

IGBT Transistors XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247

Produttore:

IXYS
ProduttorePart #:

IXYH90N65A5
Scheda dati:

IXYH90N65A5 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

650 V
EDA/CAD Modelli:

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IXYH90N65A5 Descrizione generale

Developed using our proprietary XPT™ thin-wafer technology and state-of-the-art 5th generation (GenX5™) Trench IGBT process, these devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities.These IGBTs have square Reverse Bias Safe Operating Areas (RBSOA) and with 650V breakdown voltage, making them ideal for snubber-less hard-switching applications. Other qualities include a positive collector-to-emitter voltage temperature coefficient which enables designers to use multiple devices in parallel to meet high current requirements and low gate charges which help reduce gate drive requirements and switching losses.

Caratteristiche principali

Low Vcesat, low Eon/Eoff,
Optimized for low switching frequencies
High surge current capability
Square Reverse Bias Safe Operating Areas （RBSOA)
Positive thermal coefficient of Vcesat

Applicazione

Battery Chargers
Lamp Ballast
Motor Drives
Power Inverters
Welding Machines
Advantages:
Hard-switching capabilities
High power densities
Low gate drive requirements
Ease of replacement and availability of isolation package

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.35 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	220 A
Pd - Power Dissipation	650 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Continuous Collector Current Ic Max	90 A
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	300
Subcategory	IGBTs	Tradename	XPT

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