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IGBT PT 650 V 80 A 300 W Through Hole TO-247 (IXTH)
TO-247AD-3Produttore:
ProduttorePart #:
IXYH40N65C3
Scheda dati:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
650 V
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IGBT PT 650 V 80 A 300 W Through Hole TO-247 (IXTH)
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 650 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.85 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 80 A |
Pd - Power Dissipation | 300 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Series | IXYH40N65 |
Continuous Collector Current Ic Max | 80 A | Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 30 |
Subcategory | IGBTs | Tradename | XPT |
Unit Weight | 1.340411 oz |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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