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IXYH10N170C +BOM

IGBT 1700 V 36 A 280 W Through Hole TO-247 (IXYH)

Produttore:

IXYS
ProduttorePart #:

IXYH10N170C
Scheda dati:

IXYH10N170C Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.7 kV
EDA/CAD Modelli:

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IXYH10N170C Descrizione generale

IGBT 1700 V 36 A 280 W Through Hole TO-247 (IXYH)

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.7 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	4.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	36 A
Pd - Power Dissipation	280 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	IGBTs
Tradename	XPT

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