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IXYH100N65A3 +BOM

IGBT 650 V 240 A 470 W Through Hole TO-247 (IXTH)

Produttore:

IXYS
ProduttorePart #:

IXYH100N65A3
Scheda dati:

IXYH100N65A3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

650 V
EDA/CAD Modelli:

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IXYH100N65A3 Descrizione generale

IGBT 650 V 240 A 470 W Through Hole TO-247 (IXTH)

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	240 A
Pd - Power Dissipation	470 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	IGBTs
Tradename	XPT	Unit Weight	0.211644 oz

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