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IXYB82N120C3H1 +BOM

Compliant with ROHS regulations

Produttore:

IXYS
ProduttorePart #:

IXYB82N120C3H1
Scheda dati:

IXYB82N120C3H1 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelli:

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IXYB82N120C3H1 Descrizione generale

IGBT 1200 V 164 A 1040 W Through Hole PLUS264™

Caratteristiche principali

Optimized for Low Switching Losses
Square RBSOA
Anti-Parallel Ultra Fast Diode
Positive Thermal Coefficient of
Vce(sat)
Avalanche Rated
High Current Handling Capability
International Standard Package
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	3.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	164 A
Pd - Power Dissipation	1.04 kW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	IXYB82N120
Continuous Collector Current Ic Max	164 A	Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	25
Subcategory	IGBTs	Tradename	XPT
Unit Weight	0.373904 oz

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