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IXTH12N120 +BOM

Product IXTH12N120 is a high-voltage N-channel MOSFET with a rating of 1

Produttore:

IXYS
ProduttorePart #:

IXTH12N120
Scheda dati:

IXTH12N120 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelli:

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IXTH12N120 Descrizione generale

N-Channel 1200 V 12A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Caratteristiche principali

International standard package JEDEC TO-247 AD
Low RDS (on) HDMOSTM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Fast switching times

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Pin Count	3	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	1000 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	1200 V	Drain Current-Max (ID)	12 A
Drain-source On Resistance-Max	1.3 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-247AD	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	48 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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