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IXSN35N100U1 +BOM

35 Amps IGBT Transistors with 1000V Voltage

Produttore:

Ixys
ProduttorePart #:

IXSN35N100U1
Scheda dati:

IXSN35N100U1 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Configuration:

Single Dual Emitter
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1 kV
EDA/CAD Modelli:

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IXSN35N100U1 Descrizione generale

IGBT Module Single 1000 V 38 A 205 W Chassis Mount SOT-227B

Caratteristiche principali

New generation of power modules
High efficiency and low loss performance
Operable up to 150°C
Pulse width modulation and DC-DC compatible
Suitable for industrial automation applications

Applicazione

Enhanced power efficiency
Advanced control features
Reliable performance

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single Dual Emitter
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1 kV	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	IXSN35N100	Continuous Collector Current Ic Max	38 A
Height	9.6 mm	Length	38.3 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	10
Subcategory	IGBTs	Width	25.07 mm
Unit Weight	1.058219 oz

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