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N-channel IGBT semiconductor chip, TO-247AD packaging, capable of handling 600 volts and 55 amperes
TO-247-3Produttore:
ProduttorePart #:
IXSH30N60C
Scheda dati:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
600 V
EDA/CAD Modelli:
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IGBT PT 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AD
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | IXSH30N60 |
Continuous Collector Current | 55 A | Continuous Collector Current Ic Max | 55 A |
Height | 21.46 mm | Length | 16.26 mm |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 30 |
Subcategory | IGBTs | Width | 5.3 mm |
Unit Weight | 0.229281 oz |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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