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IXGN60N60 +BOM

Reliable performance and excellent thermal management capabilities make this transistor a top choice for demanding power electronic

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IXGN60N60 Descrizione generale

IGBT Module PT Single 600 V 100 A 250 W Chassis Mount SOT-227B

ixgn60n60 ixgn60n60
ixgn60n60 ixgn60n60
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Specifiche

Product Category IGBT Transistors Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Configuration Single Dual Emitter
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V Pd - Power Dissipation 250 W
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Continuous Collector Current 100 A Continuous Collector Current Ic Max 100 A
Gate-Emitter Leakage Current +/- 100 nA Height 9.6 mm
Length 38.23 mm Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 10 Subcategory IGBTs
Width 25.42 mm Unit Weight 1.058219 oz

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..

Garanzia Garanzia
Garanzia di qualità del prodotto di 365 giorni

Prodotto 365 giorni

Qualità garantita

Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.

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L
L**n 09/08/2021

Got one n, another nd until put, like not soldering

11

Recensioni

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