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IXGH32N60BU1 +BOM

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD

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IXGH32N60BU1 Descrizione generale

Featuring a robust TO-247AD housing, the IXGH32N60BU1 IGBT delivers reliable performance with a collector-emitter breakdown voltage of 600V and a low saturation voltage of 2.3V. Its fast current release time of 80ns ensures precise control in dynamic systems, while the high power dissipation rating of 200W allows for sustained operation under demanding conditions

ixgh32n60bu1 ixgh32n60bu1
ixgh32n60bu1 ixgh32n60bu1
ixgh32n60bu1

Specifiche

Mount Through Hole Number of Pins 3
Weight 6.500007 g Collector Emitter Breakdown Voltage 600 V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600 V Current Rating 60 A
Element Configuration Single Max Collector Current 60 A
Max Operating Temperature 150 °C Max Power Dissipation 200 W
Min Operating Temperature -55 °C Packaging Bulk
Reverse Recovery Time 50 ns Rise Time 20 ns
Turn-Off Delay Time 100 ns Turn-On Delay Time 25 ns
Voltage Rating (DC) 600 V

Politiche di servizio e altro

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Valutazioni e recensioni

Di più
M
M**n 02/22/2022

There is a suspicion that the postman was walking to novosibirsk. the batteries came for a month, and the indicators are forty-five days. checked. Everything is fine, everything works.

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Recensioni

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