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IXGH24N60B +BOM

HIPERFAST IGBT 600V, 48A, described as IXGH24N60B IGBT Transistors

Produttore:

Ixys
ProduttorePart #:

IXGH24N60B
Scheda dati:

IXGH24N60B Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelli:

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IXGH24N60B Descrizione generale

With its low VCE(sat) of 1.8V and fast switching speed, the IXGH24N60B delivers exceptional efficiency and reliable performance. It is designed to meet the rigorous demands of modern industrial applications, providing overcurrent and overtemperature protection for safe operation in all conditions. Whether it's for motor drives, industrial inverters, or power supplies, this IGBT module exceeds expectations in terms of performance and durability

Caratteristiche principali

High-speed switching for efficiency gains
Low noise operation for quiet systems
Rugged design for harsh environments
Fast response time for precise control

Applicazione

Heavy-duty machinery
Renewable energy systems
High-power applications
Automotive electronics

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	IXGH24N60	Continuous Collector Current Ic Max	48 A
Height	21.46 mm	Length	16.26 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	30
Subcategory	IGBTs	Width	5.3 mm
Unit Weight	0.229281 oz

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