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IXGH20N60AU1 +BOM

MOSFET for high power switching applications

Produttore:

IXYS Corporation
ProduttorePart #:

IXGH20N60AU1
Scheda dati:

IXGH20N60AU1 Scheda dati (PDF)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

600 V
Current - Collector (Ic) (Max):

40 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:

3V @ 15V, 20A
Power - Max:

150 W
EDA/CAD Modelli:

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IXGH20N60AU1 Descrizione generale

Thermal management is crucial for the longevity of electronic devices, and the IXGH20N60AU1 doesn't disappoint with its built-in temperature sensor. This sensor provides real-time feedback to the system, enabling effective thermal management to prevent overheating and ensure the device's reliability over the long term. With the IXGH20N60AU1, you can trust that your high power switching applications will run smoothly and efficiently

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	-
IGBT Type	-	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Current - Collector (Ic) (Max)	40 A	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3V @ 15V, 20A
Power - Max	150 W	Switching Energy	-
Input Type	Standard	Td (on/off) @ 25°C	-
Test Condition	-	Operating Temperature	-
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	IXGH20
Mount	Through Hole	Collector Emitter Breakdown Voltage	600 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)	3 V	Max Collector Current	40 A
Max Power Dissipation	150 W

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