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IXFH88N30P +BOM

This is the IXFH88N30P MOSFET

Produttore:

Littelfuse
ProduttorePart #:

IXFH88N30P
Scheda dati:

IXFH88N30P Scheda dati (PDF)
Drain-Source Voltage (V):

300
Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

0.04
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

88
Gate Charge (nC):

180
EDA/CAD Modelli:

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IXFH88N30P Descrizione generale

The IXFH88N30P Polar™ HiPerFETs are specifically engineered for phase-shift bridges motor control and UPS applications, offering advanced features that cater to the needs of modern power electronics systems. With a faster body diode and reduced reverse recovery time, these FETs deliver heightened efficiency and performance. Their low RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced DV/DT capability make them a top choice for engineers looking to optimize their designs. By selecting the IXFH88N30P, designers can ensure that their systems operate at peak performance levels while maintaining reliability

Caratteristiche principali

High Efficiency Operation
Low EMI Generation
Compact Footprint Design
Silicon Nitride Passivation

Applicazione

Efficient Power Supplies
Reliable DC Converters
High-performance Battery Chargers

Specifiche

Drain-Source Voltage (V)	300	Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)	0.04
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)	88	Gate Charge (nC)	180
Input Capacitance, CISS (pF)	6300	Thermal resistance [junction-case] (K/W)	0.21
Configuration	Single	Power Dissipation (W)	600
Maximum Reverse Recovery (ns)	200	Sample Request	No
Check Stock	Yes

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

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UPS

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Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..