Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

IXBT14N300HV +BOM

IGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT

Produttore:

IXYS
ProduttorePart #:

IXBT14N300HV
Scheda dati:

IXBT14N300HV Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

3 kV
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per IXBT14N300HV

IXBT14N300HV Descrizione generale

BiMOSFETs are devices, which have combined strengths of MOSFETs and IGBTs. Non-epitaxial construction and new fabrication processes were used in making BiMOSFETs a great success.These high voltage devices are ideal for parallel operation due to the positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage, and the forward voltage drop of its intrinsic diode. Furthermore, this “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

Caratteristiche principali

"Free" intrinsic body diode
High power density
High frequency operation
Low conduction losses
MOS gate turn on for drive simplicity
4000V electrical isolation
Advantages:
Low gate drive requirements
Space savings (eliminates multiple series-parallel lower voltage, lower current rated devices)
Easy to mount

Applicazione

Switched-mode and resonant-mode power supplies
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
Laser and X-ray generators
Capacitor discharge circuits
High voltage pulser circuits
High voltage test equipment
AC switches

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	3 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	38 A
Pd - Power Dissipation	200 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	Very High Voltage
Moisture Sensitive	Yes	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	IGBTs
Tradename	BIMOSFET

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..