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IGBT 1700 V 20 A 140 W Through Hole TO-247AD
TO-247-3Produttore:
ProduttorePart #:
IXBH10N170
Scheda dati:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
1.7 kV
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BiMOSFETs are devices, which have combined strengths of MOSFETs and IGBTs. Non-epitaxial construction and new fabrication processes were used in making BiMOSFETs a great success.These high voltage devices are ideal for parallel operation due to the positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage, and the forward voltage drop of its intrinsic diode. Furthermore, this “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.7 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 3.8 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 20 A |
Pd - Power Dissipation | 140 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | IXBH10N170 |
Continuous Collector Current | 16 A | Continuous Collector Current Ic Max | 20 A |
Height | 21.46 mm | Length | 16.26 mm |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 30 |
Subcategory | IGBTs | Tradename | BIMOSFET |
Width | 5.3 mm | Unit Weight | 0.229281 oz |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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