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IGW40N65H5FKSA1 +BOM

IGBT 650 V 74 A 255 W Through Hole PG-TO247-3

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IGW40N65H5FKSA1
Scheda dati:

IGW40N65H5FKSA1 Scheda dati (PDF)
Series:

TrenchStop®
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

650 V
Current - Collector (Ic) (Max):

74 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

120 A
EDA/CAD Modelli:

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tel: +852 95804164

IGW40N65H5FKSA1 Descrizione generale

IGBT 650 V 74 A 255 W Through Hole PG-TO247-3

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

650V breakthrough voltage
Compared to Infineon’s Best-in-class HighSpeed 3 family
Factor 2.5 lower Q
g
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in V
CE(sat)
Low C
OES
OSS
Mild positive temperature coefficient V
CE(sat)
Temperature stability of V
f
Best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability
50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
Higher power density design

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	TrenchStop®
IGBT Type	-	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650 V
Current - Collector (Ic) (Max)	74 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 40A	Power - Max	255 W
Switching Energy	390µJ (on), 120µJ (off)	Input Type	Standard
Gate Charge	95 nC	Td (on/off) @ 25°C	22ns/165ns
Test Condition	400V, 20A, 15Ohm, 15V	Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	IGW40N65
RHoS	yes	PBFree	yes

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