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HGTG7N60A4D +BOM

IGBT 600 V 34 A 125 W Through Hole TO-247

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

HGTG7N60A4D
Scheda dati:

HGTG7N60A4D Scheda dati (PDF)
Case Outline:

340CK
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
Technology:

Si
EDA/CAD Modelli:

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HGTG7N60A4D Descrizione generale

The HGTP7N60A4D is a top-of-the-line product that effectively combines the high input impedance of a MOSFET with the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is perfectly suited for high voltage switching applications at high frequencies, where minimizing conduction losses is critical. Its superior performance in fast switching applications, such as UPS and welder, makes it an optimal choice for industries that demand high efficiency and reliability

Caratteristiche principali

Fast Rise Time : t_r = 50ns @ V_C = 500V
Low Inductance : L_I = 15nH @ I_C = 10A
High Frequency Stability

Applicazione

Office Supplies
Stationery Items
Desk Organization

Specifiche

Status	Last Shipments	Case Outline	340CK
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE
Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	34 A
Pd - Power Dissipation	125 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	HGTG7N60A4D
Continuous Collector Current	34 A	Continuous Collector Current Ic Max	34 A
Gate-Emitter Leakage Current	+/- 250 nA	Height	20.82 mm
Length	15.87 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	450	Subcategory	IGBTs
Width	4.82 mm	Unit Weight	0.225401 oz

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Valutazioni e recensioni

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M**d 01/05/2022

I'm extremely satisfied with the brand new LQFP100 components I received from Avaq. The quality is impeccable, and I couldn't be happier with my purchase!

C**n 10/26/2021

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G**n 04/30/2020

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S**n 02/21/2020

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