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Vedi Specifiche Tecniche

HGTG20N60B3_Q +BOM

N-channel IGBT for reliable DC-DC conversion

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

HGTG20N60B3_Q
Scheda dati:

HGTG20N60B3_Q Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelli:

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E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

Avaq Semiconductor offre il driver HGTG20N60B3_Q altamente versatile e affidabile, prodotto da onsemi. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.

Per garantire di avere tutte le informazioni necessarie per sfruttare al meglio questo componente, Avaq fornisce una scheda tecnica PDF gratuita, nonché schemi elettrici, layout dei pin, dettagli dei pin, valori di tensione dei pin e componenti equivalenti per il HGTG20N60B3_Q.

Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	40 A
Pd - Power Dissipation	165 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	HGTG20N60
Continuous Collector Current	40 A	Continuous Collector Current Ic Max	40 A
Gate-Emitter Leakage Current	+/- 100 nA	Height	4.82 mm
Length	15.87 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	300	Subcategory	IGBTs
Width	20.82 mm	Unit Weight	1.340411 oz

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..