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G3R160MT12D +BOM

192mΩ ON resistance at 10A and 15V

Produttore:

GeneSiC Semiconductor
ProduttorePart #:

G3R160MT12D
Scheda dati:

G3R160MT12D Scheda dati (PDF)
Technology:

SiC
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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G3R160MT12D Descrizione generale

N-Channel 1200 V 22A (Tc) 123W (Tc) Through Hole TO-247-3

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	SiC
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current	19 A	Rds On - Drain-Source Resistance	160 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 5 V, + 15 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.7 V
Qg - Gate Charge	23 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	106 W
Channel Mode	Enhancement	Series	G3R
Configuration	Single	Fall Time	9 ns
Forward Transconductance - Min	4.4 S	Product	MOSFET
Product Type	MOSFET	Rise Time	9 ns
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	MOSFET	Type	SiC MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	16 ns	Typical Turn-On Delay Time	16 ns
Unit Weight	0.211644 oz

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