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G3R12MT12K +BOM

Field-Effect Transistor for Power Applications

Produttore:

GeneSiC Semiconductor
ProduttorePart #:

G3R12MT12K
Scheda dati:

G3R12MT12K Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

SiCFET (Silicon Carbide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

157A (Tc)
EDA/CAD Modelli:

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G3R12MT12K Descrizione generale

N-Channel 1200 V 157A (Tc) 567W (Tc) Through Hole TO-247-4

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	157A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 100A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.7V @ 50mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	288 nC @ 15 V
Vgs (Max)	+22V, -10V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9335 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max)	567W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	G3R12M

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J**e 02/11/2022

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