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G2R1000MT17J +BOM

-Element, N-Channel, Silicon Carbide

Produttore:

GeneSiC Semiconductor
ProduttorePart #:

G2R1000MT17J
Scheda dati:

G2R1000MT17J Scheda dati (PDF)
Series:

G2R™
FET Type:

N-Channel
Technology:

SiCFET (Silicon Carbide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

1700 V
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G2R1000MT17J Descrizione generale

N-Channel 1700 V 3A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Specifiche

Series	G2R™	FET Type	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	1700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2A, 20V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 2mA
Vgs (Max)	+20V, -10V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	139 pF @ 1000 V
Power Dissipation (Max)	54W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	G2R1000

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