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FS75R06KE3 +BOM

Advanced IGBT technology enables high-frequency operation and reduced losse

  • Produttore:

    Infineon

  • ProduttorePart #:

    FS75R06KE3

  • Scheda dati:

    FS75R06KE3 Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • IC Max:

    75.0 A

  • Housing:

    EconoPACK™ 2

  • Configuration:

    Sixpack

  • Qualification:

    Industrial

FS75R06KE3 Descrizione generale

Infineon's FS75R06KE3 silicon carbide power MOSFET module is a game-changer for high-power, high-frequency applications. Its 62mm module with a half-bridge configuration makes it an excellent choice for inverter systems, and with a voltage rating of 650V and a maximum current rating of 75A, it is well-equipped to handle the demands of electric vehicles, renewable energy systems, and industrial drives. Leveraging silicon carbide technology, this module boasts low on-state resistance and fast switching speeds, outperforming traditional silicon-based MOSFETs and delivering improved efficiency and reduced power losses. Safety is paramount, and the FS75R06KE3 incorporates overcurrent, overtemperature, and short-circuit protection features to ensure secure and reliable operation. Furthermore, its high thermal conductivity allows for efficient heat dissipation, enabling dependable operation even in harsh environmental conditions

fs75r06ke3 fs75r06ke3

Caratteristiche principali

  • Excellent thermal shock resistance
  • Precise control of temperature achieved
  • Superior durability and reliability

Applicazione

  • Grid integration
  • Energy storage
  • Smart grid solutions

Specifiche

IC max 75.0 A Housing EconoPACK™ 2
Configuration Sixpack Qualification Industrial
Technology IGBT3 - E3 Voltage Class max 600.0 V
Features Solder pin

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Valutazioni e recensioni

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I
I**h 05/28/2022

A good diode bridge, corresponds to the description! Delivery to novokuznetsk 23 days. Good seller, recommend!

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Qtà. Prezzo unitario Est. Prezzo
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200+ $70,380 $14.076,00
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