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FP100R12N3T7B11BPSA1 +BOM

IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 100 A

FP100R12N3T7B11BPSA1 Descrizione generale

IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 100 A

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

  • TRENCHSTOP IGBT7
  • Low V
  • CEsat
  • and Low switching losses
  • Overload operation up to 175°C
  • 2.5 kV AC 1min insulation
  • High reliability and power density
  • Copper base plate for optimized heat spread
  • High power density
  • PressFIT contact technology
  • RoHS-compliant modules
  • Compact module concept
  • Optimized development cycle time and cost
  • Configuration flexibility
  • Fast, reliable and low cost mounting concept
Infineon Technologies Corporation Stock originale

Applicazione

  • Industrial motor drivesand controls
  • Servo motor drive and control

Specifiche

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules Series EconoPIM™ 3
IGBT Type Trench Field Stop Configuration Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V Current - Collector (Ic) (Max) 100 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic - Input Standard
NTC Thermistor No Operating Temperature -
Mounting Type - Base Product Number FP100R12
RHoS yes PBFree yes
HalogenFree no Product Category IGBT Modules
Product IGBT Silicon Modules Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V Continuous Collector Current at 25 C 100 A
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA Pd - Power Dissipation -
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Product Type IGBT Modules Factory Pack Quantity 10
Subcategory IGBTs Part # Aliases FP100R12N3T7_B11 SP005402466

Politiche di servizio e altro

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FP100R12N3T7B11BPSA1 Scheda dati PDF

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