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FMH07N90E +BOM

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P(Q), 3 PIN

Produttore:

FUJITSU
ProduttorePart #:

FMH07N90E
Scheda dati:

FMH07N90E Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Not Recommended
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
Additional Feature:

LOW NOISE
EDA/CAD Modelli:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

FMH07N90E Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P(Q), 3 PIN

Caratteristiche principali

Low on-state resistance
Low switching loss
easy to use (more controllabe switching dV/dt by Rg)

Specifiche

Part Life Cycle Code	Not Recommended	Pin Count	3
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Additional Feature	LOW NOISE	Avalanche Energy Rating (Eas)	396.3 mJ
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	900 V
Drain Current-Max (ID)	7 A	Drain-source On Resistance-Max	2 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	145 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	28 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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