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FMG11AT148 +BOM

Transistor designed for small signal amplification applications

FMG11AT148 Descrizione generale

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5

Caratteristiche principali

  • 1) Two DTA123Js chips in a EMTor UMTor SMT package.

Specifiche

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Pin Count 5 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
Collector Current-Max (IC) 0.1 A Collector-Emitter Voltage-Max 50 V
Configuration COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR DC Current Gain-Min (hFE) 80
JESD-30 Code R-PDSO-G5 JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 2
Number of Terminals 5 Operating Temperature-Max 150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.3 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Transition Frequency-Nom (fT) 250 MHz
VCEsat-Max 0.3 V

Politiche di servizio e altro

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