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FF100R12RT4HOSA1 +BOM

IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 100 A 555 W Chassis Mount Module

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

FF100R12RT4HOSA1
Scheda dati:

FF100R12RT4HOSA1 Scheda dati (PDF)
IGBT Type:

Trench Field Stop
Configuration:

2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

100 A

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

FF100R12RT4HOSA1 Descrizione generale

IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 100 A 555 W Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

Extended operation temperature T
vj op
Low switching losses
Low V
CEsat
T
vj>
V
CEsat
Isolated base plate
Standard housing
Flexibility
Optimal electrical performance
Highest reliability

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Applicazione

Solutions for photovoltaic energy systems
Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	Trench Field Stop	Configuration	2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	100 A
Power - Max	555 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.15V @ 15V, 100A
Current - Collector Cutoff (Max)	1 mA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	630 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	FF100R12	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	no

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