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Vedi Specifiche Tecniche

FDS6892A +BOM

Mosfet Array 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDS6892A
Scheda dati:

FDS6892A Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

End Of Life
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

FDS6892A Descrizione generale

TRANSISTOR, MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:900mV; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Continuous Drain Current Id:7.5A; Current Id Max:7.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):18mohm; Package / Case:SO-8; Power Dissipation Pd:2W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:900mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V

Caratteristiche principali

7.5 A, 20 V
R_DS(ON) = 18 mΩ @ V_GS = 4.5 V
R_DS(ON) = 24 mΩ @ V_GS = 2.5 V
Low gate charge
High performance trench technology for extremely low R_DS(ON)
High power and current handling capability

Applicazione

This product is general usage and suitable for many different applications.

Specifiche

Source Content uid	FDS6892A	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	End Of Life	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	4 Weeks
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	20 V
Drain Current-Max (ID)	7.5 A	Drain-source On Resistance-Max	0.018 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-G8
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	2	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	2 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	30 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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