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Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM II, 600 V, 12 A, 650 mΩ, TO-220
TO-220-3Produttore:
ProduttorePart #:
FDP12N60NZ
Scheda dati:
Pbfree Code:
Yes
Part Life Cycle Code:
Obsolete
Reach Compliance Code:
not_compliant
ECCN Code:
EAR99
EDA/CAD Modelli:
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Product FDP12N60NZ is a member of the UniFET II MOSFET family, which boasts cutting-edge planar stripe and DMOS technology. With the smallest on-state resistance in its class, this advanced MOSFET series offers unmatched switching performance and higher avalanche energy strength. The inclusion of an internal gate-source ESD diode further enhances the durability of the UniFET II MOSFET, enabling it to withstand over 2kV HBM surge stress
Source Content uid | FDP12N60NZ | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 4 Weeks |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 565 mJ | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 600 V | Drain Current-Max (ID) | 12 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.65 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-220AB | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 240 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 48 A |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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