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FDMD8540L +BOM

Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 156A, 1.5mΩ

FDMD8540L Descrizione generale

With its dual 40V N-Channel MOSFETs housed in a compact 5 mm x 6 mm package, the FDMD8540L offers exceptional performance for a variety of power applications. Featuring internally connected high-side source and low-side drain, this device is ideal for both half and full bridge configurations. Its low source inductance package and impressive rDS(on)/Qg FOM silicon ensure efficient and effective power management

Caratteristiche principali

  • N-Channel MOSFET with High Side Drive Pin-out Capability
  • Low On-State Resistance
  • Ultra-High-Speed Switching for DC/DC Converters
  • Roadside Ready for 12V to 48V Automotive Applications

Applicazione

  • This product is durable and reliable.
  • Great for all your household needs.
  • Perfect for DIY projects and repairs.

Specifiche

Source Content uid FDMD8540L Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code End Of Life Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 6 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas) 541 mJ Case Connection DRAIN SOURCE
Configuration SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS DS Breakdown Voltage-Min 40 V
Drain Current-Max (ID) 156 A Drain-source On Resistance-Max 0.0015 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Feedback Cap-Max (Crss) 135 pF
JEDEC-95 Code MO-240AA JESD-30 Code R-PDSO-N8
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 2 Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 62 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 886 A Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form NO LEAD
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Max (toff) 106 ns Turn-on Time-Max (ton) 52 ns

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