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FDC6020C +BOM

PowerTrench Complementary MOSFET FDC6020C

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDC6020C
Scheda dati:

FDC6020C Scheda dati (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

N and P-Channel
FET Feature:

Logic Level Gate
Drain To Source Voltage (Vdss):

20V
EDA/CAD Modelli:

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FDC6020C Descrizione generale

Mosfet Array 20V 5.9A, 4.2A 1.2W Surface Mount SuperSOT™-6 FLMP

Caratteristiche principali

Q1 –4.2 A, –20V. RDS(ON) = 55 mΩ @ VGS = – 4.5 V RDS(ON) = 82 mΩ @ VGS = – 2.5 V
Q2 5.9 A, 20V. RDS(ON) = 27 mΩ @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 39 mΩ @ VGS = 2.5 V
Low gate charge
High performance trench technology for extremely low RDS(ON).
FLMP SSOT-6 package: Enhanced thermal performance in industry-standard package size

Specifiche

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.9A, 4.2A	Rds On (Max) @ Id, Vgs	27mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	677pF @ 10V	Power - Max	1.2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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