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FDC365P +BOM

The FDC365P is a P-Channel Power Trench® MOSFET that operates at -35V and can handle -4.3A of current with an on-resistance of 55mΩ

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDC365P
Scheda dati:

FDC365P Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDC365P Descrizione generale

Our team has dedicated significant time and effort to perfecting the design of the FDC365P, resulting in a product that stands out for its outstanding performance benefits. The combination of low rDS(on) and optimized BVdss capability ensures that this MOSFET delivers superior results in a variety of applications. This level of precision and attention to detail is what sets our product apart from the competition

Caratteristiche principali

High speed switching frequency
Soft start for reduced inrush current
Rise time: 100ns maximum

Applicazione

Great for all tasks!
Highly versatile option.
Excellent for any project.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	35 V
Id - Continuous Drain Current	4.3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	55 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	15 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC365P	Configuration	Single
Fall Time	3 ns	Height	1.1 mm
Length	2.9 mm	Product	MOSFET Small Signal
Product Type	MOSFET	Rise Time	3 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	15 ns
Typical Turn-On Delay Time	7 ns	Width	1.6 mm
Unit Weight	0.001270 oz

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