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FDB8860 +BOM

N-Channel Logic Level PowerTrench^® MOSFET, 30V, 80A, 2.6mΩ

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDB8860
Scheda dati:

FDB8860 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

End Of Life
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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FDB8860 Descrizione generale

N-Channel Logic Level PowerTrench^® MOSFET, 30V, 80A, 2.6mΩ

Caratteristiche principali

R_DS(ON) = 1.9mΩ (Typ), V_GS = 5V, I_D = 80A
Q_g(5) = 89nC (Typ), V_GS = 5V
Low Miller Charge
Low Q_RR Body Diode
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
RoHS Compliant

Applicazione

This product is general usage and suitable for many different applications.

Specifiche

Source Content uid	FDB8860	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	End Of Life	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	4 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	947 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	30 V
Drain Current-Max (ID)	31 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0027 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-263AB
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	245
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	306 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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