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FCU600N65S3R0 +BOM

Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 6 A, 600 mΩ, IPAK

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

FCU600N65S3R0
Scheda dati:

FCU600N65S3R0 Scheda dati (PDF)
Case Outline:

369AP
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
Technology:

Si
EDA/CAD Modelli:

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FCU600N65S3R0 Descrizione generale

The FCU600N65S3R0 is a cutting-edge MOSFET from ON Semiconductor's SuperFET® III series, designed to deliver exceptional performance in high voltage applications. By incorporating charge balance technology, this MOSFET offers a remarkably low on-resistance and reduced gate charge, resulting in minimized conduction loss and improved switching capabilities. This innovative technology also enables the device to withstand extreme dv/dt rates, making it an ideal choice for demanding environments where reliability is paramount

Caratteristiche principali

700 V @ T_J= 150 ^oC
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 127 pF)
Ultra Low Gate Charge (Typ. Q_g = 11 nC)
Optimized Capacitance
100% Avalanche Tested
RoHS Compliant
Typ. R_DS(on) = 493 mΩ
Internal Gate Resistance: 0.9 Ω

Applicazione

Computing
Consummer
Industrial

Specifiche

Status	Active, Not Rec	Case Outline	369AP
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE
Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Id - Continuous Drain Current	6 A	Rds On - Drain-Source Resistance	600 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V
Qg - Gate Charge	11 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	54 W
Channel Mode	Enhancement	Series	SuperFET3
Configuration	Single	Fall Time	14 ns
Forward Transconductance - Min	3.6 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	9 ns	Factory Pack Quantity	75
Subcategory	MOSFETs	Typical Turn-Off Delay Time	29 ns
Typical Turn-On Delay Time	11 ns	Unit Weight	0.012699 oz

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