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FCPF7N60 +BOM

Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 7 A, 600 mΩ, TO-220F

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

FCPF7N60
Scheda dati:

FCPF7N60 Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelli:

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FCPF7N60 Descrizione generale

SuperFET^® MOSFET is the first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

Caratteristiche principali

650V @T_J = 150°C
Typ. R_DS(on) = 530mΩ
Ultra low gate charge ( Typ. Q_g = 23nC )
Low effective output capacitance ( Typ. C_oss.eff = 60pF )
100% avalanche tested
RoHS compliant

Applicazione

This product is general usage and suitable for many different applications.

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V	Id - Continuous Drain Current	7 A
Rds On - Drain-Source Resistance	530 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V	Qg - Gate Charge	30 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	31 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	SuperFET	Series	FCPF7N60
Configuration	Single	Fall Time	32 ns
Forward Transconductance - Min	6 S	Height	16.07 mm
Length	10.36 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	55 ns	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	75 ns
Typical Turn-On Delay Time	35 ns	Width	4.9 mm
Unit Weight	0.068784 oz

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