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Vedi Specifiche Tecniche

F4-75R06W1E3 +BOM

Power semiconductor device for high-voltage applications

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

F4-75R06W1E3
Scheda dati:

F4-75R06W1E3 Scheda dati (PDF)
Feature-channel-type:

N
Feature-configuration:

Quad
Feature-maximum-gate-emitter-voltage-v:

±20
Feature-maximum-collector-emitter-voltage-v:

600
EDA/CAD Modelli:

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tel: +852 95804164

F4-75R06W1E3 Descrizione generale

IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 600 V 100 A 275 W Chassis Mount Module

Specifiche

feature-technology		feature-channel-type	N
feature-configuration	Quad	feature-maximum-gate-emitter-voltage-v	±20
feature-maximum-collector-emitter-voltage-v	600	feature-maximum-continuous-collector-current-a	100
feature-maximum-power-dissipation-mw	275	feature-packaging	Tray
feature-pin-count	18	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold	No

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..