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DTA123EET1 +BOM

High-gain PNP transistor with V voltage rating and A current handling

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

DTA123EET1
Scheda dati:

DTA123EET1 Scheda dati (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

PNP
Typical Input Resistor:

2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio:

1
EDA/CAD Modelli:

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DTA123EET1 Descrizione generale

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration	Single
Transistor Polarity	PNP	Typical Input Resistor	2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio	1	Mounting Style	SMD/SMT
DC Collector/Base Gain hfe Min	8	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Continuous Collector Current	100 mA	Peak DC Collector Current	100 mA
Pd - Power Dissipation	200 mW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	DC Current Gain hFE Max	8
Height	0.75 mm	Length	1.6 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Width	0.8 mm

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