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DF160R12W2H3FB11BOMA1 +BOM

Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 18-Pin EASY2B-2 Tray

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

DF160R12W2H3FB11BOMA1
Scheda dati:

DF160R12W2H3FB11BOMA1 Scheda dati (PDF)
Diode Type:

Single Phase
Technology:

Standard
Voltage - Peak Reverse (Max):

1.2 V
Current - Average Rectified (Io):

50 A

DF160R12W2H3FB11BOMA1 Descrizione generale

Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.2 kV Chassis Mount

Infineon Technologies Corporation inventario

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsDiodesBridge Rectifiers	Series	-
Diode Type	Single Phase	Technology	Standard
Voltage - Peak Reverse (Max)	1.2 V	Current - Average Rectified (Io)	50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	950 mV @ 30 A	Current - Reverse Leakage @ Vr	100 µA @ 1.2 V
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	DF160R12	feature-technology
feature-channel-type	N	feature-configuration	Quad
feature-maximum-gate-emitter-voltage-v	±20	feature-maximum-collector-emitter-voltage-v	1200
feature-maximum-continuous-collector-current-a	20	feature-maximum-power-dissipation-mw	190
feature-packaging	Tray	feature-pin-count	18
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc		feature-svhc-exceeds-threshold	No

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