Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

DF11MR12W1M1B11BOMA1 +BOM

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 50A Chassis Mount AG-EASY1BM-2

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

DF11MR12W1M1B11BOMA1
Scheda dati:

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Scheda dati (PDF)
Product:

Power MOSFET Modules
Type:

SiC Power MOSFET
Technology:

Si
Vf - Forward Voltage:

4 V

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Descrizione generale

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 50A Chassis Mount AG-EASY1BM-2

Specifiche

Product Category	Discrete Semiconductor Modules	Product	Power MOSFET Modules
Type	SiC Power MOSFET	Technology	Si
Vf - Forward Voltage	4 V	Vgs - Gate-Source Voltage	- 10 V, 20 V
Mounting Style	Press Fit	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Configuration	Dual
Fall Time	12 ns	Id - Continuous Drain Current	50 A
Operating Supply Voltage	-	Pd - Power Dissipation	20 mW
Product Type	Discrete Semiconductor Modules	Rds On - Drain-Source Resistance	23 mOhms
Rise Time	9.6 ns	Factory Pack Quantity	24
Subcategory	Discrete Semiconductor Modules	Tradename	CoolSIC
Transistor Polarity	N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	43.5 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.5 V	Part # Aliases	DF11MR12W1M1_B11 SP001602238

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..