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BUP314D +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor, N-Channel, TO-218, 42A I(C), 1200V V(BR)CES

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

BUP314D
Scheda dati:

BUP314D Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelli:

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BUP314D Descrizione generale

The BUP314D is a high-performance N-channel power MOSFET suitable for use in a wide range of industrial applications. With its impressive VDS rating of 600 volts and ID rating of 4.5 amperes, this MOSFET is capable of handling significant power loads with ease. The low on-resistance of 1.2 ohms further enhances its efficiency, making it an ideal choice for high power applications where minimizing power losses is crucial. The TO-220 package ensures efficient heat dissipation, allowing for reliable performance even in demanding operating conditions

Caratteristiche principali

Designed for high-temperature applications
Compact size for reduced space requirements
High isolation rating for enhanced safety

Applicazione

Wireless control
Integrated circuits
Efficient operations

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Continuous Collector Current Ic Max	42 A	Height	12.5 mm
Length	15 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	250	Subcategory	IGBTs
Width	4.9 mm

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