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BUP313D +BOM

DuoPack IGBT Transistors with LOW LOSS 1200V 15A

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

BUP313D
Scheda dati:

BUP313D Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelli:

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BUP313D Descrizione generale

In summary, the BUP313D transistor combines high voltage capabilities, efficient operation, and wide temperature tolerance in a compact and user-friendly package. With its impressive specifications and versatile performance, it's no wonder that this transistor is a popular choice for a variety of electronic projects. Whether you're designing industrial control systems or automotive electronics, the BUP313D is sure to meet your needs and exceed your expectations

Caratteristiche principali

High-speed switching capability
Low-power consumption
Miniaturized design

Applicazione

Building security circuits
Solar power applications
Wind motor control

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Continuous Collector Current Ic Max	32 A	Height	12.5 mm
Length	15 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	250	Subcategory	IGBTs
Width	4.9 mm

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