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BFX85 +BOM
Small signal transistors
TO-39-3-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
BFX85
-
Scheda dati:
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Transistor Polarity:
NPN
-
Configuration:
Single
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
60 V
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 7072 PZ
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BFX85 Descrizione generale
Efficiency is a key feature of the BFX85, thanks to its low collector-emitter saturation voltage and low base-emitter saturation voltage. This allows for efficient operation in low-power applications and effective switching. The maximum power dissipation of 10W ensures that the transistor can handle moderate power levels without risk of overheating, while the transition frequency of 50MHz indicates its ability to operate at higher frequencies
Caratteristiche principali
- Advanced materials application
- High durability capability
- Low thermal resistance
- Excellent shock resistance
Applicazione
- Reliable technology for all sectors
- Advanced solutions for every need
- Efficiency and innovation combined
Specifiche
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V | Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V | Maximum DC Collector Current | 1 A |
Pd - Power Dissipation | 800 mW | Gain Bandwidth Product fT | 50 MHz |
Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
Continuous Collector Current | 1 A | DC Collector/Base Gain hfe Min | 15 at 1 A, 10 V |
Height | 6.6 mm | Length | 9.4 mm |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Subcategory | Transistors |
Technology | Si | Width | 9.4 mm |
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In Stock: 7.072
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