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BFG97,115 +BOM

RF Bipolar Transistors NPN 15V 5.5GHZ

BFG97,115 Descrizione generale

RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 5.5GHZ, 3SOT223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:5.5GHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:80hFE; MSL:-RoHS Compliant: Yes

NXP Semiconductor inventario
NXP Semiconductor Stock originale
NXP Semiconductor inventario

Specifiche

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors Series -
Transistor Type NPN Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Frequency - Transition 5.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain - Power - Max 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 70mA, 10V Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Operating Temperature 175°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Base Product Number BFG97 Pin Count 4
Released Date Aug 5, 2020 Last Modified Date Mar 7, 2023 4:10 PM UTC

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