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BFG35,115 +BOM

RF Bipolar Transistors NPN 10V 150mA 4GHZ

Produttore:

NXP Semiconductor
ProduttorePart #:

BFG35,115
Scheda dati:

BFG35,115 Scheda dati (PDF)
Generation:

2nd
FT [typ] (MHz):

4000
VCEO [max] (V):

18
IC [max] (mA):

150
EDA/CAD Modelli:

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BFG35,115 Descrizione generale

RF Transistor NPN 18V 150mA 4GHz 1W Surface Mount SC-73

Caratteristiche principali

Generation: 2nd
f_T [typ] (MHz): 4000
V_CEO [max] (V): 18
I_C [max] (mA): 150
P_tot [max] (mW): 1000
Polarity: NPN
G_UM [typ] (dB): 15

Specifiche

Generation	2nd	f<sub>T</sub> [typ] (MHz)	4000
V<sub>CEO</sub> [max] (V)	18	I<sub>C</sub> [max] (mA)	150
P<sub>tot</sub> [max] (mW)	1000	Polarity	NPN
G<sub>UM</sub> [typ] (dB)	15	feature-packaging	Tape and Reel
feature-rad-hard		feature-pin-count	4
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-escc-qualified		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc	Yes
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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