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Vedi Specifiche Tecniche

BDX53BG +BOM

Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

BDX53BG
Scheda dati:

BDX53BG Scheda dati (PDF)
Case Outline:

221A-09
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelli:

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BDX53BG Descrizione generale

In summary, the BDX53BG is a top-of-the-line PNP Darlington Bipolar Power Transistor that combines high current and voltage ratings with a complementary design for enhanced versatility. With its superior performance characteristics and reliable operation, this transistor is a valuable addition to any electronic project or circuit design. Whether you're a seasoned engineer or a hobbyist looking to explore the world of electronics, the BDX53BG is a reliable and efficient choice for your next project

Caratteristiche principali

High Power Gain G_p = 20 (Typ) @ f_T = 1 MHz
Low Input Impedance Zin = 5 ohms (Max)
Pb-Free Packages are Available

Specifiche

Status	Active	Case Outline	221A-09
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE
Product Category	Darlington Transistors	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Maximum DC Collector Current	8 A	Maximum Collector Cut-off Current	500 uA
Mounting Style	Through Hole	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	BDX53B
DC Collector/Base Gain hfe Min	750	Height	15.75 mm
Length	10.53 mm	Product Type	Darlington Transistors
Factory Pack Quantity	50	Subcategory	Transistors
Width	4.83 mm	Unit Weight	0.211644 oz

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