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BD676AS +BOM

4.0 A, 45 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

BD676AS
Scheda dati:

BD676AS Scheda dati (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

340AS
MSL Type:

NA
MSL Temp (°C):

0

BD676AS Descrizione generale

This series of plastic, medium-power PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary general-purpose amplifier applications.

Replacement Active Part Number: BD676A

Caratteristiche principali

High DC Current Gain -
h_FE = 750 (Min) @ I_C = 1.5 and 2.0 Adc
Monolithic Construction
BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682
are complementary with BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681
BD 678, 678A, 680, 680A
are equivalent to MJE 700, 701, 702, 703
Pb-Free Packages are Available

Applicazione

Specifiche

Status	Obsolete	CAD Models
Compliance	PbAHP	Case Outline	340AS
MSL Type	NA	MSL Temp (°C)	0
Container Type	BLKBG	Container Qty.	2000
ON Target	N	Polarity	PNP
IC Continuous (A)	4	V(BR)CEO Min (V)	45
VCE(sat) Max (V)	2.8	hFE Min (k)	0.75
hFE Max (k)	-	fT Min (MHz)	-
Pricing ($/Unit)	Price N/A	feature-type	PNP
feature-configuration	Single	feature-number-of-elements-per-chip	1
feature-maximum-collector-emitter-voltage-v	45	feature-maximum-collector-base-voltage-v	45
feature-maximum-emitter-base-voltage-v	5	feature-maximum-base-emitter-saturation-voltage-v
feature-maximum-continuous-dc-collector-current-a	4	feature-minimum-dc-current-gain	750@2A@3V
feature-maximum-power-dissipation-mw	14000	feature-maximum-collector-emitter-saturation-voltage-v	2.8@40mA@2A
feature-packaging	Bag	feature-rad-hard
feature-pin-count	3	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc	Yes
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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