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BCR166W +BOM

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BCR166W Descrizione generale

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 160 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT323-3-1

Infineon inventario
Infineon Stock originale

Specifiche

Product Category Bipolar Transistors - Pre-Biased Configuration Single
Transistor Polarity PNP Typical Input Resistor 4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio 0.1 Mounting Style SMD/SMT
DC Collector/Base Gain hfe Min 70 Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Continuous Collector Current 100 mA Peak DC Collector Current 100 mA
Pd - Power Dissipation 250 mW Maximum Operating Temperature + 150 C
Collector- Base Voltage VCBO 50 V DC Current Gain hFE Max 70
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V Height 0.9 mm
Length 2 mm Product Type BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Subcategory Transistors Type Digital Transistors
Width 1.25 mm Unit Weight 0.004395 oz
Transistor Type PNP - Pre-Biased Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequency - Transition 160 MHz Power - Max 250 mW
Mounting Type Surface Mount Base Product Number BCR166

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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